
1. 先冻结工况与效率定义
本文示例输出为3.2–3.6 V、240 A,工作频率480 kHz、谐振频率500 kHz。3.2 V时输出功率768 W,3.6 V时为864 W。设计输入还包括母线范围、全桥或半桥、Lm目标、外置Lr、功能绝缘、安装高度与灌胶外壳的散热边界。
需要先核对的条件:源文档给出的38.4 V母线与整组8:1匝比尚未对应。按3.2 V输出、理想单位增益并忽略同步整流压降,全桥需要12:1,半桥需要6:1。桥型、实际加在变压器上的电压与工作增益必须先确认。
2. 匝比与两只ISOP结构
示例采用两只4:1单元,初级串联、次级并联,组成8:1整组。理想均分时,每只承担120 A直流输出;按谐振点附近正弦电流近似,每只副边有效值约133.3 A,原边约33.3 A,尚未计入励磁电流。两只的极性、Lm配对和实际电流分配需要验证。
| 母线(V) | 全桥所需整组匝比 | 半桥所需整组匝比 |
|---|---|---|
| 25.6 | 8:1 | 4:1 |
| 38.4 | 12:1 | 6:1 |
| 48.0 | 15:1 | 7.5:1 |
| 51.2 | 16:1 | 8:1 |
理想值:Vo = 3.2 V、单位增益,忽略同步整流和谐振网络压降;不作为任意母线条件下的通用匝比。
3. 磁芯窗口、磁密与交错叠层
示例采用定制E+I平面磁芯,几何截面积约56.75 mm²。对1匝副边、3.2 V理想对称方波和480 kHz,Bpk = V / (4fNAc),得到约29.4 mT。该截面积和典型材料损耗仅用于筛选,正式设计需要磁芯供应商确认Ae、Ve、AL与尺寸公差。
每只副边采用11片0.20 mm铜片并联为1匝,原边采用10块双面2 oz PCB:每板2匝、两板串联为4匝,共5个并联支路。铜片与PCB按S–P–S–P…–S逐层交错。名义叠厚为10 × 0.38 + 11 × 0.30 = 7.10 mm,窗口名义高度7.8 mm。
源文档的1-D正弦场模型给出交错结构副边Fr约1.39、原边约1.04;端部二维场、过孔、窄颈、端子和气隙边缘场未纳入。模型比较用于叠层筛选,成品交流损耗仍需仿真或实测。
4. 从98.5%目标倒推损耗预算
两只变压器允许的总损耗:Ploss = 768 × (1 / 0.985 − 1) ≈ 11.70 W。效率边界仅为两只变压器端口,不包含Lr、Cr、桥臂和同步整流器。
| 损耗项(两只合计) | 文档估算 | 条件与待验证项 |
|---|---|---|
| 直流铜损 | 7.80 W | 70 °C铜环体电阻;不含端子、过孔和中点连接片 |
| 交流增量 | 约0.74 W | 交错叠层1-D模型;不含端部二维场 |
| 磁芯损耗 | 0.05–0.08 W | 典型材料曲线估算 |
| 剩余预算 | 约3.08 W | 覆盖端子、焊点、中点与端部效应,须样品量热确认 |
若两只均分损耗、每只约5.85 W,且热点到冷却边界允许温差20 K,则每只热阻需约3.4 K/W或更低。灌胶材料、外壳、接触界面和实际冷却条件都属于验证输入。
5. Lm、Lr、装配与绝缘
完全交错结构的窗口漏感模型值约1.7 nH(每只、折原边);端部和引线仍需测量。示例选择外置Lr,Lm由系统ZVS需求确定,两只Lm按项目要求配对。
机械上,PCB厚度累积使最坏叠厚可能达到7.40 mm,而F最小7.65 mm减去0.30 mm装配余量只允许7.35 mm,因此名义尺寸合适并不代表最坏公差闭合。还需检查5个独立串联中点、同名端、回流重熔、焊点截面和端子温升。
源文档的叠层示例按功能绝缘讨论。若系统需要基本或加强绝缘,必须重新评审材料、间距、叠厚和试验要求。
6. 样品验证与询价输入
- 确认每只与整组匝比、极性、Lm与漏感,实测两只电流分配。
- 对成品端口做四线DCR测量,包含端子和焊点,并折算到规定温度。
- 在实际DCX、3.2 V / 240 A和3.6 V工况及客户热边界下测试损耗、端子与内层热点。
- 检查叠厚、窗口、总高、回流工艺、绝缘与可靠性记录。
询价请提供:输入/输出电压范围、桥型、额定/峰值电流、频率、Lm/Lr、效率定义、散热条件、安装限制、绝缘要求和年需求量。
常见问题
是否可以直接把8:1用在38.4 V母线上?
需先确认桥型、谐振网络增益和变压器实际电压。按文档的理想条件,38.4 V到3.2 V对应全桥12:1或半桥6:1。
98.5%是实测效率吗?
此处是两只变压器端口的设计目标。连接损耗、交流损耗和散热边界须由实际样品验证。
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PMT-DOC-2026-0927-01 · Rev A/0 · 2026-09-27 · 6页
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