1. 为什么 800V 会重构充电系统
从 400V 迁移到 800V 后，同等功率下电流减半。白皮书用这一系统关系解释导通损耗降低、线缆变轻、充电时间缩短，同时也说明能量通道上的每一个环节都需要重新评审。
2. 功率电子系统发生了什么变化
功率半导体
OBC 的 PFC 级与 DC/DC 级从 650V 硅基迁移到 1200V SiC MOSFET，支撑高效率与更高开关频率。
OBC 的 PFC 级与 DC/DC 级从 650V 硅基迁移到 1200V SiC MOSFET，支撑高效率与更高开关频率。
磁性元件
高频化可以缩小电感与变压器，但前提是磁芯材料、扁平线或平面绕组、绝缘体系同步跟上。
高频化可以缩小电感与变压器，但前提是磁芯材料、扁平线或平面绕组、绝缘体系同步跟上。
绝缘边界
资料将 4kV 级增强绝缘耐压作为硬性评审要求。
资料将 4kV 级增强绝缘耐压作为硬性评审要求。
超充基础设施
直流快充模块输出拓宽至 200-1000V；480-600A 超充电流要求液冷枪线。
直流快充模块输出拓宽至 200-1000V；480-600A 超充电流要求液冷枪线。
3. 标准与验证边界
白皮书覆盖 IEC 61851 / 62196、ISO 6469-3 / 17409、IEC 60664-1 绝缘配合、CISPR 25 EMC 与 AEC-Q200 元件认证。最终磁性元件规格仍需按拓扑、母线电压、开关频率、散热设计和安规等级确认。
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下载中文版 800V 电动汽车充电系统白皮书，用于工程评审和供应商沟通。
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